型号: SIE810DF-T1-E3
功能描述: Dual N-Channel 20 V 0.02 Ohms Surface Mount Power Mosfet -POLARPAK
制造商: Vishay
系列: TrenchFET®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 60A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 2.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 300nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 13000pF @ 10V
Vgs(最大值): ±12V
功率耗散(最大值): 5.2W(Ta),125W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 1.4 毫欧 @ 25A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-PolarPAK®(L)
封装形式Package: PolarPAK-10
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 20V
连续漏极电流ID: 45A
漏源极导通电阻RDS(ON): 1.4mOhms
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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