型号: SIE860DF-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 105nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4500pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 15V
功率耗散（最大值）: 5.2W（Ta），104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 2.1 毫欧 @ 21.7A，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: 10-PolarPAK®（M）
封装/外壳: 10-PolarPAK®（M）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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