型号: SIE868DF-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 145nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6100pF @ 20V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 5.2W（Ta），125W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2.3 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 10-PolarPAK®（L）
封装形式Package： PolarPAK-10
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 40V
连续漏极电流ID： 169A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 2.3mOhms
无铅情况/RoHs： 否
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