型号: SIGC100T60R3ZJ
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V Die
制造商: Infineon Technologies AG
供应商封装形式： Die
最大栅极发射极电压： ±20
欧盟RoHS指令： Supplier Unconfirmed
最高工作温度： 175
标准包装名称： Die
渠道类型： N
包装宽度： 9.73
包装长度： 10.39
最大集电极发射极电压： 600
最低工作温度： -40
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