型号: SIGC100T60R3ZJ
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V Die
制造商: Infineon Technologies AG
供应商封装形式: Die
最大栅极发射极电压: ±20
欧盟RoHS指令: Supplier Unconfirmed
最高工作温度: 175
标准包装名称: Die
渠道类型: N
包装宽度: 9.73
包装长度: 10.39
最大集电极发射极电压: 600
最低工作温度: -40
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