型号: SIGC121T120R2C
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: --
Packing Type: WAFER SAWN
tf: 70.0ns
VDS max: 1200.0V
Technology: IGBT2
Operating Temperature min max: -55.0 °C 150.0 °C
VGE(th) min max: 4.5 V 6.5 V
VCE(sat) max: 3.0 V
IC max: 75.0A
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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