型号: SIGC121T120R2C
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： --
Packing Type： WAFER SAWN
tf： 70.0ns
VDS max： 1200.0V
Technology： IGBT2
Operating Temperature min max： -55.0 °C 150.0 °C
VGE(th) min max： 4.5 V 6.5 V
VCE(sat) max： 3.0 V
IC max： 75.0A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
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