型号: SIGC25T60NCX1SA7
功能描述: IGBT 3 CHIP 600V WAFER
制造商: Infineon Technologies
Series: -
Package: Bulk
IGBT Type: NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Power - Max: -
Switching Energy: -
Input Type: Standard
Gate Charge: -
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/110ns
Test Condition: 300V, 30A, 8.2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr): -
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Supplier Device Package: Die
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