型号: SIHA11N80E-GE3
功能描述: MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 88 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 34 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: E
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 4.5 S
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：洪先生
电话：13112574139
Q Q:
联系人：潘红燕
电话：13760375256
Q Q:
联系人：肖娜
电话：18025394304
Q Q:
