型号: SIHA6N80AE-GE3
功能描述: MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220
制造商: Vishay Siliconix
包装: 标准卷带
系列: E
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 950 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 22.5nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 422pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 30W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 整包
封装/外壳: TO-220-3 整包
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：陈
电话：83258848
Q Q:
联系人：覃S
电话：17722618128
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13691930083
Q Q:
