型号: SIHB120N60E-GE3
功能描述: MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 179 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: E
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 6 S
下降时间: 33 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 31 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
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