型号: SIHB12N60ET5-GE3
功能描述: MOSFET N-Channel 600V
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 12 A
Rds On-漏源导通电阻: 380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 147 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
系列: E
宽度: 9.65 mm
商标: Vishay / Siliconix
下降时间: 19 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 2.200 g
联系人：Alien
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