型号:  SIHB12N65E-GE3

功能描述:  E Series N-Channel 650 V 380 mO 35 nC Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

制造商:  Vishay

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  12A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  70nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1224pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±30V

功率耗散（最大值）：  156W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  380 毫欧 @ 6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB

封装形式Package：  TO-252-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  700V

连续漏极电流ID：  12A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  392mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  2Vto4V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs