型号: SIHB22N60S-GE3
功能描述: MOSFET N-CH 650V TO263
制造商: Vishay Siliconix
包装: 标准卷带
系列: S
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 190 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 110nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2.81nF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 250W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK（TO-263）
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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