型号:  SIHB35N60EF-GE3

功能描述:  MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  32 A

Rds On-漏源导通电阻:  97 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  134 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

系列:  EF

晶体管类型:  1 N-Channel EF-Series Power MOSFET

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  8 S

下降时间:  61 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  85 ns

工厂包装数量:  1

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  96 ns

典型接通延迟时间:  28 ns