型号:  SIHD2N80E-GE3

功能描述:  

制造商:  Vishay

FET 类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:  800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  2.8A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  19.6nC

Vgs（最大值）:  ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  315pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:  100V

功率耗散（最大值）:  62.5W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  2.75 欧姆 @ 1A，10V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

封装/外壳:  TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63

容值:  0.24pF

偏差:  ±0.05pF

电压:  25V

温度系数:  C0G，NP0

特性:  高 Q 值，低损耗

应用:  RF，微波，高频

尺寸 :  0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm）

厚度（最大值）:  0.013"（0.33mm）

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:  10V

无铅情况/RoHs:  否