型号: SIHD3N50DT5-GE3
功能描述: MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
系列: D
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 1 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 1
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
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