型号: SIHF640L-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF640L-GE3, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 18 A
最大漏源电压: 200 V
最大漏源电阻值: 180 m0hms
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: I2PAK (TO-262)
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 130 W
高度: 11.3mm
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 10.67 x 4.83 x 11.3mm
最高工作温度: +150 °C
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 70 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 1300 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
最低工作温度: -55 °C
长度: 10.67mm
宽度: 4.83mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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