型号:  SIHF640S-GE3

功能描述:  MOSFET 200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  18 A

Rds On-漏源导通电阻:  180 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  70 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  130 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

高度:  4.83 mm

长度:  10.67 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  9.65 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  6.7 S

下降时间:  36 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  51 ns

工厂包装数量:  1

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 ns

典型接通延迟时间:  14 ns