型号: SIHL510STRL-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHL510STRL-GE3, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 5.6 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 0.76 0hms
最小栅阈值电压: 1V
最大栅源电压: -10 V、+10 V
封装类型: D2PAK (TO-263)
安装类型: 表面贴装
晶体管配置: 单
引脚数目: 3
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 43 W
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 10.67 x 9.65 x 4.83mm
最高工作温度: +175 °C
晶体管材料: Si
最低工作温度: -55 °C
典型输入电容值@Vds: 250 pF@ 25 V
典型关断延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 9.3 ns
宽度: 9.65mm
长度: 10.67mm
高度: 4.83mm
典型栅极电荷@Vgs: 6.1 nC @ 5 V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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