SIHL540STRL-GE3规格参数_SIHL540STRL-GE3全国代理商/分销商

型号: SIHL540STRL-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHL540STRL-GE3, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 28 A
最大漏源电压： 100 V
最大漏源电阻值： 0.11 0hms
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -10 V、+10 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型：表面贴装
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 150 W
长度： 10.67mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 10.67 x 9.65 x 4.83mm
高度： 4.83mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 64 nC @ 5 V
典型输入电容值@Vds： 2200 pF@ 25 V
典型关断延迟时间： 35 ns
典型接通延迟时间： 8.5 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
宽度： 9.65mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs