型号: SIHLZ44STRR-GE3
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET SIHLZ44STRR-GE3, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 50 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 0.039 0hms
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -10 V、+10 V
封装类型： D2PAK (TO-263)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 150 W
每片芯片元件数目： 1
典型接通延迟时间： 17 ns
典型关断延迟时间： 42 ns
典型输入电容值@Vds： 3300 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 66 nC @ 5 V
最高工作温度： +175 °C
最低工作温度： -55 °C
晶体管材料： Si
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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