型号: SIJ438DP-T1-GE3
功能描述: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 80A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 182nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9400pF @ 20V
Vgs（最大值）： +20V，-16V
功率耗散（最大值）： 69.4W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.35 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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