型号: SIJ478DP-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.6V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 54nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1855pF @ 40V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 5W（Ta），62.5W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
封装形式Package： SOIC-8
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 80V
连续漏极电流ID： 60A
漏源极导通电阻RDS(ON)： 8mOhms
栅源极阀值电压VGS(th)： 2.6V
无铅情况/RoHs： 否
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：方工
Q Q:
联系人：许硕
电话：18898582398
Q Q:
联系人：林先生
电话：13723780117
Q Q:
