型号: SIR672DP-T1-GE3
功能描述: MOSFET N-CH 80V 27.6A SO-8
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷 （TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压 (Vdss)： 80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）： 27.6A （Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.1 毫欧 @ 20A， 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： 3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： 86nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： 4365pF @ 40V
功率 - 最大值： 6.25W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商器件封装： PowerPAK; SO-8
ROHS： 无铅
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