型号:  SIR826DP-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAK-SO-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Id-连续漏极电流:  60 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  60 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  104 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET, PowerPAK

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.04 mm

长度:  6.15 mm

系列:  SIR

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  80 S

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  36 ns

典型接通延迟时间:  12 ns

零件号别名:  SIR826DP-GE3

单位重量:  506.600 mg