型号: SIR850DP-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 30A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1120pF @ 15V
功率 - 最大值： 41.7W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® SO-8
供应商器件封装： PowerPAK® SO-8
其它名称： SIR850DP-T1-GE3TRSIR850DPT1GE3
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：刘玉花
电话：13302927908
Q Q:
联系人：刘雨坤
电话：18296137845
Q Q:
联系人：李凯奇
电话：13585634684
Q Q:
