型号: SIS332DN-T1-GE3
功能描述: MOSFET 30 Volts 35 Amps 33 Watts
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 7 mOhms
导通电阻： 7 mOhms
配置： Single
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PowerPAK 1212-8
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 8 ns
正向跨导 - 最小值： 38 S
栅极电荷 Qg： 18 nC
功率耗散： 33 W
上升时间： 10 ns
系列： SISxxxDN
工厂包装数量： 3000
典型关闭延迟时间： 15 ns
零件号别名： SIS332DN-GE3
ROHS： 无铅
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