SIS612EDNT-T1-GE3规格参数_SIS612EDNT-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SIS612EDNT-T1-GE3
功能描述: N-Channel 20 V 0.0039 O 52 W TrenchFET Power Mosfet - Thin PowerPAK-1212-8
制造商: Vishay
系列： TrenchFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 50A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 70nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2060pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 3.7W（Ta），52W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 3.9 毫欧 @ 14A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® 1212-8
封装形式Package： PowerPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 20V
连续漏极电流ID： 24.6A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs