型号: SIS778DN-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.004 Ohms
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK 1212-8
封装: Reel
下降时间: 9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 60 S
栅极电荷 Qg: 27.5 nC
功率耗散: 52 Watts
上升时间: 12 ns
典型关闭延迟时间: 20 ns
零件号别名: SIS778DN-GE3
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