型号:  SISH615ADN-T1-GE3

功能描述:  MOSFET -20V Vds; 12V Vgs PowerPAK 1212-8SH

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAK1212-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  35 A

Rds On-漏源导通电阻:  4.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  - 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  183 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  52 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET, PowerPAK

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SIS

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  82 S

下降时间:  26 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  40 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  75 ns

典型接通延迟时间:  41 ns