型号: SISS28DN-T1-GE3
功能描述: MOSFET N-Chan 25 V PowerPAK 1212-8S
制造商: Vishay
系列： TrenchFET® Gen IV
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 25V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 60A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 35nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 3640pF @ 10V
Vgs（最大值）： +20V，-16V
功率耗散（最大值）： 57W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.52 毫欧 @ 15A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： PowerPAK® 1212-8
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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