型号:  SISS71DN-T1-GE3

功能描述:  

制造商:  Vishay

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  23A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  15nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1050pF @ 50V

功率耗散（最大值）：  57W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  59 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3）

封装/外壳：  8-PowerVDFN

Id-连续漏极电流：  23A

Pd-功率耗散：  57W

Qg-栅极电荷：  30nC

Rds On-漏源导通电阻：  47mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  100V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

上升时间：  30ns

下降时间：  11ns

典型关闭延迟时间：  21ns

典型接通延迟时间：  35ns

安装风格：  SMD/SMT

宽度：  3.3mm

封装/外壳：  PowerPAK-1212-8

晶体管极性：  P-Channel

晶体管类型：  1P-Channel

最大工作温度：  +150C

最小工作温度：  -50C

正向跨导 - 最小值：  13S

系列：  SIS

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

长度：  3.3mm

高度：  1.04mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs