型号:  SIZF906DT-T1-GE3

功能描述:  MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR F 6 x 5

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerPAIR-6x5-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  60 A

Rds On-漏源导通电阻:  3 mOhms, 900 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  - 16 V, 20 V

Qg-栅极电荷:  49 nC, 200 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  38 W, 83 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SIZ

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  130 S, 130 S

下降时间:  40 ns, 30 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  80 ns, 60 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 65 ns

典型接通延迟时间:  20 ns, 45 ns