型号: SKM100GB12T4
功能描述: IGBT halfbridge module 160A 1200V
制造商: SEMIKRON
配置： 双半桥
晶体管配置： 串行
最大连续集电极电流： 160 A
最大集电极-发射极电压： 1200 V
最大栅极发射极电压： ±20V
通道类型： N
安装类型： 面板安装
封装类型： SEMITRANS2
引脚数目： 7
尺寸： 94 x 34 x 30.1mm
高度： 30.1mm
长度： 94mm
最高工作温度： +175 °C
宽度： 34mm
最低工作温度： -40 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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