型号: SPB08P06PG
功能描述: MOSFET P-Ch -60V 8.8A D2PAK-2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 8.8 A
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 42 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 46 ns
系列: SPB08P06
工厂包装数量: 1000
商标名: SIPMOS
典型关闭延迟时间: 48 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB08P06PGXT
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