型号:  SPB11N60C3ATMA1

功能描述:  N-Channel 650 V 0.38 Ohm Cool MOS™ Power Transistor - PG-TO-263

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  650V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  11A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.9V @ 500µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  60nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1200pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  125W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  380 毫欧 @ 7A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO263-3

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  11A

供应商器件封装：  PG-TO263-3-2

无铅情况/RoHs：  否