型号:  SPB18P06P G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  860pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  81.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  130 毫欧 @ 13.2A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO263-3

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  18.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  28nC @ 10V

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  P-Channel

Id-连续漏极电流：  18.7A

Rds On-漏源导通电阻：  130mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：  -10V

Qg-栅极电荷：  -21nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  81.1W

通道模式：  Enhancement

商标名：  SIPMOS

封装：  CutTape

高度：  4.4mm

长度：  10mm

系列：  SPB18P06

晶体管类型：  1P-Channel

宽度：  9.25mm

正向跨导 - 最小值：  5S

下降时间：  11ns

上升时间：  5.8ns

典型关闭延迟时间：  25ns

典型接通延迟时间：  12ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs