型号:  SPI07N60S5

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

安装风格：  ThroughHole

封装/外壳：  TO-262-3

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  7.3A

Rds On-漏源导通电阻：  600mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  27nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  83W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSS5

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  20ns

上升时间：  40ns

典型关闭延迟时间：  170ns

典型接通延迟时间：  120ns

RDS (on) max：  600.0mΩ

IDpuls max：  14.6A

VDS max：  600.0V

ID max：  7.3 A

RthJC max：  1.5 K/W

Package：  I2PAK (TO-262)

QG：  27.0nC

Ptot max：  83.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  3.5 V 5.5 V

Mounting：  THT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs