型号:  SPI11N60CFD

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

安装风格：  ThroughHole

封装/外壳：  TO-262-3

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  11A

Rds On-漏源导通电阻：  440mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  48nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  125W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSCFD

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  7ns

上升时间：  18ns

典型关闭延迟时间：  43ns

典型接通延迟时间：  34ns

RDS (on) max：  440.0mΩ

IDpuls max：  28.0A

VDS max：  600.0V

ID max：  11.0 A

RthJC max：  3.8 K/W

Package：  I2PAK (TO-262)

QG：  48.0 nC

Ptot max：  125.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  3.0 V 5.0 V

Mounting：  THT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs