型号:  SPP11N60CFD

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

安装风格：  ThroughHole

封装/外壳：  TO-220-3

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  11A

Rds On-漏源导通电阻：  440mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  125W

通道模式：  Enhancement

高度：  15.65mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSCFD

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.4mm

下降时间：  7ns

上升时间：  18ns

典型关闭延迟时间：  43ns

典型接通延迟时间：  34ns

RDS (on) max：  440.0mΩ

IDpuls max：  28.0A

VDS max：  600.0V

ID max：  11.0A

RthJC max：  1.0 K/W

Package：  TO-220

QG：  48.0nC

Budgetary Price €€/1k：  1.18

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  125.0W

Polarity：  N

RthJA max：  62.0K/W

VGS(th) min max：  3.0 V 5.0 V

Mounting：  THT

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs