型号:  SPP20N60C2

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

制造商:  Infineon Technologies AG

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  20A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  650V

FET Feature：  Standard

FET Type：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  103nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  3000pF @ 25V

Mounting Type：  Through Hole

Package / Case：  TO-220-3

Power - Max：  208W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  190 mOhm @ 13A, 10V

Supplier Device Package：  P-TO220AB

Vgs(th) (Max) @ Id：  5.5V @ 1mA

最大门源电压：  ±20

安装：  Through Hole

包装宽度：  4.4

PCB：  3

最大功率耗散：  208000

最大漏源电压：  600

欧盟RoHS指令：  Supplier Unconfirmed

最大漏源电阻：  190@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-220AB

标准包装名称：  TO-220

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  10

引脚数：  3

通道模式：  Enhancement

包装高度：  9.25

最大连续漏极电流：  20

标签：  Tab

铅形状：  Through Hole