型号: SPP20N60C2
功能描述: Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
制造商: Infineon Technologies AG
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
FET Feature: Standard
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs: 103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds: 3000pF @ 25V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Power - Max: 208W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package: P-TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
最大门源电压: ±20
安装: Through Hole
包装宽度: 4.4
PCB: 3
最大功率耗散: 208000
最大漏源电压: 600
欧盟RoHS指令: Supplier Unconfirmed
最大漏源电阻: 190@10V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: TO-220AB
标准包装名称: TO-220
最高工作温度: 150
渠道类型: N
包装长度: 10
引脚数: 3
通道模式: Enhancement
包装高度: 9.25
最大连续漏极电流: 20
标签: Tab
铅形状: Through Hole
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