型号: SPP20N60S5
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO220-3
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 103nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3000pF @ 25V
功率耗散(最大值): 208W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 190 毫欧 @ 13A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
安装风格: ThroughHole
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600V
Id-连续漏极电流: 20A
Rds On-漏源导通电阻: 190mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +150C
配置: Single
Pd-功率耗散: 208W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 15.65mm
长度: 10mm
系列: CoolMOSS5
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 4.4mm
下降时间: 30ns
上升时间: 25ns
典型关闭延迟时间: 140ns
典型接通延迟时间: 120ns
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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