型号: SQ2360EES-T1-GE3
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
特色产品： SQ Series Power MOSFETs
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchFET®
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.4A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 85 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 370pF @ 25V
功率 - 最大值： 3W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
其它名称： SQ2360EES-T1-GE3CT
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