型号: SQD50N03-09-GE3
功能描述: MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V
制造商: Vishay / Siliconix
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 62 A
导通电阻： 10 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-252
封装： Reel
商标： Vishay / Siliconix
下降时间： 55 ns
栅极电荷 Qg： 39.5 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 8.3 W
上升时间： 160 ns
系列： SQD50xxx
工厂包装数量： 2000
典型关闭延迟时间： 30 ns
ROHS： 含铅
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