型号: SQM110P0607LGE3
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263
制造商: vishay / semiconductor
包装： 3TO-263
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 120 A
RDS -于： 6.7@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 15 ns
典型上升时间： 23 ns
典型关闭延迟时间： 97 ns
典型下降时间： 32 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Tape & Reel
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