型号:  SQM120P06-07L_GE3

功能描述:  P-Channel 60 V 120 A 6.7 mO Surface Mount Automotive Mosfet - D2PAK

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  120A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  270nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  14280pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  375W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  6.7 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  TO-263-3

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  120A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  6.7mOhms

栅源极阀值电压VGS(th)：  2V

Id-连续漏极电流：  120A

Pd-功率耗散：  375W

Qg-栅极电荷：  180nC

Rds On-漏源导通电阻：  6.7mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  60V

Vgs - 栅极-源极电压：  -10V

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.5V

上升时间：  23ns

下降时间：  32ns

典型关闭延迟时间：  97ns

典型接通延迟时间：  15ns

安装风格：  SMD/SMT

宽度：  9.65mm

封装/外壳：  TO-263-3

晶体管极性：  P-Channel

晶体管类型：  1P-Channel

最大工作温度：  +175C

最小工作温度：  -55C

正向跨导 - 最小值：  90S

系列：  SQ

资格：  AEC-Q101

通道数量：  1Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Single

长度：  10.67mm

高度：  4.83mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs