型号: SSM3J112TU(TE85L)
功能描述: MOSFET Vds=-30V Id=-1.1A 3Pin
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UFM-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 610 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 0.7 mm
长度: 2 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: SSM3J112TU
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: Small Signal
宽度: 1.7 mm
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 1 S / 0.5 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 124.600 mg
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