型号:  SSM3J332R,LF(T

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  SSM3J332R -

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  6A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  42 毫欧 @ 5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  8.2nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  560pF @ 15V

功率 - 最大值：  1W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-23-3 扁平引线

供应商器件封装：  SOT-23F

其它名称：  SSM3J332R,LF(BSSM3J332R,LF(TSSM3J332RLFSSM3J332RLF(TTRSSM3J332RLF(TTR-NDSSM3J332RLFTR