型号: SSM3J353F,LF
功能描述: MOSFET Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-346-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 3.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
系列: SSM3
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.5 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
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