型号: SSM3J35CT,L3F(T
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 1mA 漏源导通电阻：8Ω @ 50mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：P沟道
制造商: TOSHIBA(东芝)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100mA
栅源极阈值电压: 1V @ 1mA
漏源导通电阻: 8Ω @ 50mA,4V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 100mW
类型: P沟道
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