型号: SSM3J36MFV(TL3,T)
功能描述: MOSF P CH 20V 330MA VESM
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET特点： Logic Level Gate, 1.5V Drive
封装： Tape & Reel (TR)
安装类型： Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 330mA
供应商设备封装： VESM
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
FET型： MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大： 150mW
标准包装： 8,000
漏极至源极电压（Vdss）： 20V
输入电容（Ciss ） @ VDS： 43pF @ 10V
闸电荷（Qg ） @ VGS： 1.2nC @ 4V
封装/外壳： SOT-723
其他名称： SSM3J36MFV(TL3T)CT
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
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